近些年来，铜丝键合逐渐取代金丝键合，铜丝键合的工艺要求比金丝键合要严格得多，其包括未键合铜丝存储、键合时保护气氛控制、铜球形成形状、金属间化合物（IMC，Intermetallic Compound）生成等。虽然铜丝成本大概是金丝的20%，但是其工艺的附加成本更高一些。例如，铜丝不易形成金属间化合物，铝焊盘厚度至少为0.8μm，键合时的压力比金丝大30%，容易导致焊盘脱落、形成弹坑或者介质破裂等。为了解决上述问题，提高铜丝键合的可靠性，大部分工厂会采取增加通孔改善焊盘结构、采用更高的超声频率等方法。
 
在高温存储试验中，铜-铝键合金属间化合物的生长速度要比金-铝键合慢，这就表明铜-铝键合变化缓慢，其键合强度不易发生变化。而在高温下，金-铝键合的金属间化合物的生长速度快，总是伴随柯肯达尔空洞的产生，导致键合强度降低。单从这个角度看，铜丝键合可靠性要高一些。但在高湿度存储试验中，铜铝键合的金属间化合物容易受到塑封料中卤素（如氯Cl，溴Br）的化学腐蚀或者电化学腐蚀，使铜-铝金属间化合物转变为铜、铝的氧化物。
 
银丝键合主要采用楔形焊进行NTC热敏芯片的键合，即第二焊点的主要键合方式。
近些年来，银丝键合不仅被应用于动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）封装、薄型小尺寸封装（TSOP，Thin Small Outline Package），还开始被应用于数字逻辑电路（DLC，Digital Logic Circuit）。一方面，银丝成本比金丝低；另一方面，银丝的工艺窗口要宽于铜丝，并且可以进行反向键合（Reverse bonding），这使得银丝键合被广泛应用于薄键合焊盘、易裂键合焊盘以及焊盘与焊盘连接。
 
银丝键合的评价方式有两种——高温储存试验（High Temperature Storage，HTS，通常温度超过150℃）和湿度贮存试验（Humidity Storage）。除了常用的85℃/85%RH外，也有采用各种强加速应力测试试验（highly accelerated stress test）、高压蒸煮试验（Pressure Cooker Test，PCT）等评价方法。
 
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